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1. [单选题]基牙B4常用
A. 单臂卡环
B. 间隙卡环
C. 三臂卡环
D. 双臂卡环
E. 下返卡环
2. [单选题]在制作义齿支架前进行模型缓冲的原因是
A. 有利于义齿的取出
B. 有利于义齿的移位
C. 增强义齿的固位
D. 改善义齿的稳定性
E. 避免义齿戴入后压痛患者黏膜
3. [单选题]间隙卡环连接体与模型组织面之间保持的距离约为( )。
A. 0.1mm
B. 0.2mm
C. 0.3mm
D. 0.4mm
E. 0.5mm
4. [单选题]用硅橡胶类即模材料取模可能引起脱模的原因是
A. 托盘选择不合适
B. 未使用托盘粘结剂
C. 脱模时用力过大
D. 印模材在口内停留时间不够
E. 以上均是
5. [单选题]牙列缺失后，口腔软组织未发生改变的部位是
A. 唇颊系带与牙槽嵴顶的距离变短
B. 唇颊沟变浅
C. 舌沟间隙变浅
D. 切牙乳头向牙槽嵴顶位移
E. 鼻唇沟加深
6. [单选题]决定可摘局部义齿基托蜡型的伸展范围，与下列哪项无关
A. 缺牙的部位
B. 牙槽骨的吸收程度
C. 义齿的支持形式
D. 基牙的健康状况
E. 咬合无障碍
7. [单选题]烫盒去蜡之前通常将型盒置于热水之中，水温为
A. 50℃以上
B. 60℃以上
C. 70℃以上
D. 80℃以上
E. 40℃以上
8. [单选题]用于制作可卸代型的工作模型，应使用何种材料制作最为理想( )。
A. 嵌体蜡
B. 硬石膏
C. 普通蜡
D. 普通石膏
E. 超硬石膏
9. [单选题]PFM冠上釉时的炉温是
A. 与体瓷的烧结温度相同
B. 低于体瓷烧结温度6～8℃
C. 低于体瓷烧结温度10～20℃
D. 高于体瓷烧结温度6～8℃
E. 高于体瓷烧结温度10～20℃
10. [单选题]下列哪项与粘结力形成无关？( )
A. 静电吸引力
B. 压缩力
C. 分子间作用力
D. 化学键力
E. 机械力
11. [单选题]杆附着体的杆应位于( )。
A. 牙槽嵴顶上方
B. 牙槽嵴顶唇侧
C. 牙槽嵴顶颊侧
D. 不与牙槽嵴顶保持平行关系
E. 紧贴牙槽嵴黏膜
12. [单选题]以下义齿蜡型整装法的要求哪项不正确
A. 包埋模型
B. 包埋人工牙
C. 包埋卡环
D. 包埋全部蜡基托
E. 包埋支架
13. [单选题]采用冠内附着体的基牙垂直高度应( )。
A. >3mm
B. >4mm
C. >5mm
D. >6mm
E. >7mm
14. [单选题]对Ⅱ型观测线的基牙，描述正确的是
A. 近缺隙侧倒凹区小，远离缺隙侧倒凹区大
B. 近缺隙侧倒凹区小，远离缺隙侧倒凹区也小
C. 近缺隙侧倒凹区大，远离缺隙侧倒凹区小
D. 近缺隙侧倒凹区大，远离缺隙侧倒凹也大
E. 近缺隙侧与远离缺隙侧均无倒凹区
15. [单选题]高频离心铸造机主要用于( )。
A. 钛合金铸造
B. 高熔合金铸造
C. 金合金铸造
D. 钴铬合金铸造
E. 中熔合金铸造
16. [单选题]在牙体纵剖面观察到的组织中，呈半透明的白色、高度钙化的组织
A. 牙髓
B. 牙本质
C. 牙骨质
D. 牙釉质
E. 以上都不是
17. [单选题]可摘局部义齿基托伸展的范围，下列错误的是
A. 应与天然牙轴面的倒凹区轻轻接触
B. 上颌远中游离者应伸至翼下颌切迹，远中颊角应覆盖上颌结节
C. 下颌远中游离者应覆盖磨牙后垫1／3～1／2
D. 缺牙区若骨质缺损应当扩大，若有骨突应适当缩小或作缓冲
E. 缺牙多应适当大些，反之应小些
18. [单选题]舌腭侧大面积的基托蜡型应作成凹面的目的是
A. 美观
B. 便于打磨抛光
C. 防止蜡型过厚
D. 减轻重量
E. 加大舌的活动范围
19. [单选题]位于上颌硬区的一侧或两侧的连接杆是( )。
A. 前腭杆
B. 中腭杆
C. 后腭杆
D. 正中腭杆
E. 侧腭杆
20. [单选题]铸造蜡中，石蜡的含量是
A. 5%
B. 10%
C. 25%
D. 60%
E. 70%
