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1. [单选题]横嵴主要见于
A. 上颌第一前磨牙
B. 下颌第一前磨牙
C. 上颌第二前磨牙
D. 下颌第二前磨牙
E. 下颌第一磨牙
2. [单选题]恒切牙及尖牙的牙胚发生时间是
A. 胚胎2个月
B. 胚胎4个月
C. 胚胎5个月
D. 胚胎10个月
E. 6岁
3. [单选题]关于PFM冠金瓷结合机制，不正确的是
A. 化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分
B. 金属一瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合
C. 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利
D. 金瓷结合界面间存在分子间力
E. 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化
4. [单选题]属于颞下颌关节功能区的是
A. 关节结节后斜面与髁突前斜面
B. 关节窝顶与髁突前斜面
C. 关节结节后斜面与髁突横嵴
D. 关节窝顶与髁突后斜面
E. 关节结节前斜面与髁突后斜面
5. [单选题]拔牙后多长时间内不宜漱口
A. 24小时
B. 1～2天
C. 2～3天
D. 4～5天
E. 5～7天
6. [单选题]冠内附着体基牙牙体预备时，窝洞空间大小与选择的附着体尺寸有关，一般窝洞的颊舌面与邻面洞壁与放置附着体轴壁之间应保留多大间隙，有利于附着体部件放置时调整就位道
A. 0.5mm
B. 1．0mm
C. 1.5mm
D. 2.0mm
E. 2.5mm
7. [单选题]对于常用水门汀的主要组成，错误的是
A. 氧化锌+丁香油→氧化锌丁香酚水门汀
B. 氧化锌+正磷酸→磷酸锌水门汀
C. 氧化锌+聚丙烯酸→聚羧酸锌水门汀
D. 硅酸铝玻璃粉+正磷酸→玻璃离子水门汀
E. 氢氧化钙+螯合剂→氢氧化钙水门汀
8. [单选题]CAD／CAM系统的外部设备主要构成是
A. 计算机、计算机辅助设计部分、计算机辅助制作部分
B. -计算机辅助设计部分、计算机辅助制作部分、数控软件
C. 数控机床、计算机辅助设计部分、计算机辅助制作部分
D. 计算机、三维测量装置、数控机床
E. 三维测量装置、计算机辅助设计部分、计算机辅助制作部分
9. [单选题]可摘局部义齿制作中基托组织面不须做缓冲的部位是
A. 上颌硬区
B. 上颌结节颊侧
C. 下颌舌隆凸
D. 内斜嵴
E. 磨牙后垫
10. [单选题]覆盖义齿中附着体的作用是
A. 支持作用
B. 固位作用
C. 稳定作用
D. 缓冲作用
E. 以上都是
11. [单选题]在对义齿铸造支架制作熔模过程中需注意事项中，以下不正确的是
A. 尽可能使用成品蜡线来制作
B. 各部分的标准值可发生改变
C. 各部分的连接处不要形成空隙
D. 严格按照设计的要求制作
E. 熔模材料必须与耐火材料模型密合，无间隙
12. [单选题]根尖与上颌窦最接近的是
A. 上颌第一前磨牙
B. 上颌第二前磨牙
C. 上颌第一磨牙
D. 上颌第二磨牙
E. 上颌第三磨牙
13. [单选题]关于牙演化特点的说法，错误的是
A. 牙数由多变少
B. 牙根从无到有
C. 牙列从多牙列向双牙列演变
D. 牙形从异形牙向同形牙演变
E. 牙的生长部位从分散到集中
14. [单选题]活动义齿有关导平面板的设计制作，下列描述中错误的是
A. 功能运动时要使邻面板与基牙保持接触，增大摩擦力
B. 位于远中的邻面板向上不能越过外形高点线
C. RPI组合卡环不能在近中倾斜的基牙上使用
D. 牙体导平面预备时，可以保留小的龈区倒凹
E. 导平面板可以连接稳定牙弓，有助于使孤立牙达到稳定
15. [单选题]中熔烤瓷材料的熔点范围在
A. 600～850℃
B. 850～1050℃
C. 1050～1200℃
D. 1200～1450℃
E. 1450～1600℃
16. [单选题]如是高熔合金的铸造，对于铸造时机的描述，下述正确的是
A. 烤箱内温度达到700℃左右，开始铸造
B. 烤箱内温度达到700℃左右，维持约30分钟，开始铸造
C. 烤箱内温度达到900℃左右，开始铸造
D. 烤箱内温度达到900℃左右，维持约30分钟，开始铸造
E. 烤箱内温度达到1200℃时，开始铸造
17. [单选题]关于乳、恒牙区别的说法，错误的是
A. 乳磨牙体积依次减小
B. 乳牙冠根分界明显
C. 乳牙颈嵴明显突出
D. 乳牙体积小，色乳白
E. 乳牙根分叉大
18. [单选题]决定基牙观测线位置的是
A. 牙长轴
B. 外形高点线
C. 导线
D. 支点线
E. 就位道
19. [单选题]在调拌模型材料过程中，调拌时间过长或中途加水再调拌产生的主要不良后果是
A. 容易产生气泡
B. 降低抗压强度
C. 使模型表面粗糙
D. 造成脱模困难
E. 降低流动性
20. [单选题]以下各种水门汀最适合用于深龋保髓和盖髓的是
A. 氧化锌丁香酚水门汀
B. 磷酸锌水门汀
C. 聚羧酸锌水门汀
D. 氢氧化钙水门汀
E. 玻璃离子水门汀
